
PTVS5V0S1UTR技术文档下载:
PTVS5V0S1UTR产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
- 74HC160D,652 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 计数器,除法器
- 74ABT240D,623 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- MC68HC908JL3CP - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MRF6S20010GNR1 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
- MPXAZ6115AC6T1 - 压力传感器、变送器
- MC68HC908QT4CPE - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- TEF6601T/V5,512 - 射频和无线 > 射频接收器
- 74HC245D,653 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- MPC8543ECVJAQGD - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- MF1FCP2S50/DH,118 - 射频和无线 > RFID,射频接入,监控 IC
- 74HC4024D,652 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 计数器,除法器
- PHP96NQ03LT,127 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- KTY82/210,215 - 传感器,变送器 > 温度传感器 > PTC 热敏电阻
- MC705J1ACDWE - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- T2081NXN8MQLB - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- S9S08LG16J0CLH - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MRF6V10250HSR5 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
- MCHC908QT4MDWE - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MCIMX31LVKN5CR2 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- BFR520,235 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极射频晶体管



PTVS5V0S1UTR - 高温400 W瞬态电压抑制器
PTVS5V0S1UTR是NXP恩智浦公司的一款400W TVS二极管产品,PTVS5V0S1UTR是高温400 W瞬态电压抑制器,本站介绍了PTVS5V0S1UTR的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PTVS5V0S1UTR相关的NXP元器件型号供参考。
PTVS5V0S1UTR - 高温400 W瞬态电压抑制器 - 400W TVS二极管 - 瞬变电压抑制器(TVS)二极管 - 恩智浦
产品描述
400 W单向瞬态电压抑制器(TVS)采用SOD123W小型扁平引脚薄型表面贴装设备(SMD)塑料封装,可为高温应用提供瞬态过压保护。
产品特性和优势
- 额定峰值脉冲功率:PPPM = 400 W(3V3为350 W)
- 反向关态电压范围:VRWM = 3.3 V至64 V
- 反向电流:IRM = 0.001 μA
- 极低封装高度:1 mm
- 高温稳定性:Tj ≤185 °C
- 小型塑料封装,适合表贴设计
- 符合AEC-Q101标准
产品应用
- 电源保护
- 汽车电子应用
- 工业应用
- 电源管理
- 高温应用
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