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BFU530产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- K32L2B31VLH0A - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
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- PCA9670PW,112 - 集成电路(IC) > 接口 > I/O 扩展器
- NCF29A1MHN/0504GJ - 射频和无线 > RFID,射频接入,监控 IC
- 74LVCH32245AEC,518 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- MKL36Z64VLH4 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- DC6M603X6/18A,135 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 稳压器 - DC-DC 开关稳压器
- S32G399AACK1VUCR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- MPX5700AS - 传感器,变送器 > 压力传感器、变送器
- MCIMX6DP6AVT1ABR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- PBHV9050T,215 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管



BFU530 - NPN宽带硅RF晶体管
BFU530是NXP恩智浦公司的一款LNA、混频器、倍频器、缓冲器产品,BFU530是NPN宽带硅RF晶体管,本站介绍了BFU530的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BFU530相关的NXP元器件型号供参考。
BFU530 - NPN宽带硅RF晶体管 - LNA、混频器、倍频器、缓冲器 - RF双极性晶体管 - 恩智浦
产品描述
NPN硅RF晶体管可用于高速、低噪声应用,采用塑料4针脚双射极SOT143B封装。
BFU530属于BFU5系列晶体管,适合小信号到高达2 GHz的中等功率应用。
产品特性和优势
- 低噪音、高击穿RF晶体管
- 符合AEC-Q101标准
- 900 MHz时最低噪声系数(NFmin) = 0.7 dB
- 900 MHz时最大稳定增益21.5 dB
- 11 GHz fT硅技术
产品应用
- 要求高电源电压和高击穿电压的应用
- 高达2 GHz的宽带放大器
- 针对ISM应用的低噪声放大器
- ISM频段振荡器
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