
PTVS33VP1UTP技术文档下载:
PTVS33VP1UTP产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
- PDTA113ZS,126 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管
- PCA9511ADP,118 - 集成电路(IC) > 接口 > 信号缓冲器、中继器、分离器
- S912ZVC12AMLF - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- 74ABT623D,623 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- MMA6280QR2 - 传感器,变送器 > 运动传感器 > 加速计
- DSPB56721AG - 集成电路(IC) > 嵌入式 > DSP(数字信号处理器)
- PDTC143TS,126 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管
- MKS22FN128VFT12 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MRFG35003MT1 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
- BUK78150-55A,135 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- SSTU32864EC/G,518 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 专用逻辑器件
- MC9S12KG256CFUE - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- SVF331R3K2CKU2R - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- HVP-KV31F120M - 评估板 - 嵌入式 - MCU,DSP
- P5010NXN7QMB - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- PHP78NQ03LT,127 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- S912XDT384J1VAL - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- S9S12G96ACLF - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- QN9080-001-M17Z - 射频和无线 > 射频收发器 IC
- OM7603/BGA2031 - 开发板,套件,编程器 > 评估板 > 射频评估和开发套件,板



PTVS33VP1UTP - 高温600 W瞬态电压抑制器
PTVS33VP1UTP是NXP恩智浦公司的一款600W TVS二极管产品,PTVS33VP1UTP是高温600 W瞬态电压抑制器,本站介绍了PTVS33VP1UTP的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PTVS33VP1UTP相关的NXP元器件型号供参考。
PTVS33VP1UTP - 高温600 W瞬态电压抑制器 - 600W TVS二极管 - 瞬变电压抑制器(TVS)二极管 - 恩智浦
产品描述
600 W单向瞬态电压抑制器(TVS)采用SOD128小型扁平引脚表面贴装设备(SMD)塑料封装,可为高温应用提供瞬态过压保护。
产品特性和优势
- 额定峰值脉冲功率:PPPM = 600 W
- 反向关态电压范围: VRWM = 3.3 V至64 V
- 反向电流:IRM = 0.001 μA
- 极低封装高度:1 mm
- 高温稳定性:Tj ≤185 °C
- 小型塑料封装,适合表贴设计
- 符合AEC-Q101标准
产品应用
- 电源保护
- 汽车电子应用
- 工业应用
- 电源管理
- 高温应用
下面可能是您感兴趣的恩智浦公司600W TVS二极管元器件
- 74HC1G86GV - 2输入异或门
- SC16IS752IPW - 带有I2C总线/SPI接口、64字节发送和接收FIFO以及IrDA SIR内置式支持的双通道UART
- PESD5V0F1BSF - 极低电容双向ESD保护二极管
- 74AHCT132BQ - 四路2输入与非施密特触发器
- HEF4069UBT - 六频逆变器
- 74LVCH162244ADGG - 16位缓冲器/线路驱动器;30 Ω串联端接电阻;5 V容压输入/输出;3态
- BZB784 series - 双倍稳压器二极管
- BLF7G27L-90P - 功率LDMOS晶体管
- PZU22B2L - 单倍齐纳二极管
- BLF6H10LS-160 - 功率LDMOS晶体管


NXP公司产品现货专家,订购恩智浦公司产品不限最低起订量,NXP恩智浦产品大陆现货即时发货,香港库存3-5天发货,海外库存7-10天发货
寻找全球NXP代理商现货货源 - NXP公司(恩智浦)电子元件在线订购

