
BLF6H10L(S)-160技术文档下载:
BLF6H10L(S)-160产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- PCK351DB,118 - 集成电路(IC) > 时钟/定时 > 时钟缓冲器,驱动器
- BZX84-B39,215 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- MCIMX6G3DVM05AB - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- TDA19977BHV/15/C1 - 1.8V,3.3V
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- MPC860DPVR50D4R2 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
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- TDA18212HN/M/C1,51 - 集成电路(IC) > 线性 > 视频处理
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- P5021NSN7VNC - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- 88W8782UB0-NAPC/AZ - 射频和无线 > 射频收发器 IC
- PCF8593T/1,118 - 集成电路(IC) > 时钟/定时 > 实时时钟
- MC34713EP - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 特殊用途稳压器
- PEMI2QFN/LT,115 - 滤波器 > EMI/RFI 滤波器(LC,RC 网络)
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- SC18IS600IBS,128 - 集成电路(IC) > 接口 > 控制器
- KITMMA9550LEVM - 评估板 - 传感器



BLF6H10L(S)-160 - 功率LDMOS晶体管
BLF6H10L(S)-160是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品,BLF6H10L(S)-160是功率LDMOS晶体管,本站介绍了BLF6H10L(S)-160的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BLF6H10L(S)-160相关的NXP元器件型号供参考。
BLF6H10L(S)-160 - 功率LDMOS晶体管 - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦
产品描述
160 W LDMOS RF功率晶体管用于基站应用。此晶体管可在729 MHz至960 MHz提供160 W。此器件极佳的强度和宽带性能使其成为基站应用的理想选择。
产品特性和优势
- 集成ESD保护
- 极佳的强度
- 高功率增益
- 高效率
- 极佳的可靠性
- 方便的功率控制
- 符合RoHS的Directive 2002/95/EC
- 低Rth提供极佳的热稳定性
- 低输出电容提升Doherty应用的宽带性能
- 低记忆效应,提供极佳数字预失真能力
- 宽带应用无内部匹配
产品应用
- GSM、GSM EDGE、W-CDMA和CDMA基站RF功率放大器。
- 729 MHz 至960 MHz频率范围内的多载波应用。
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