
PTVS20VS1UTR技术文档下载:
PTVS20VS1UTR产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- NZH8V2B,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- PCA9672PW,112 - 集成电路(IC) > 接口 > I/O 扩展器
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- N74F786D,602 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 专用逻辑器件
- P82B715PN,112 - 集成电路(IC) > 接口 > 信号缓冲器、中继器、分离器
- S9S12GA192F0MLF - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- 74HCT11N,652 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器
- MPC8545EVTATGB - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
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- PEMI6QFN/CT,132 - 滤波器 > EMI/RFI 滤波器(LC,RC 网络)
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- MC9RS08KB8CWJ - 嵌入式 - 微控制器
- BZX284-C6V8,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管



PTVS20VS1UTR - 高温400 W瞬态电压抑制器
PTVS20VS1UTR是NXP恩智浦公司的一款400W TVS二极管产品,PTVS20VS1UTR是高温400 W瞬态电压抑制器,本站介绍了PTVS20VS1UTR的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PTVS20VS1UTR相关的NXP元器件型号供参考。
PTVS20VS1UTR - 高温400 W瞬态电压抑制器 - 400W TVS二极管 - 瞬变电压抑制器(TVS)二极管 - 恩智浦
产品描述
400 W单向瞬态电压抑制器(TVS)采用SOD123W小型扁平引脚薄型表面贴装设备(SMD)塑料封装,可为高温应用提供瞬态过压保护。
产品特性和优势
- 额定峰值脉冲功率:PPPM = 400 W(3V3为350 W)
- 反向关态电压范围:VRWM = 3.3 V至64 V
- 反向电流:IRM = 0.001 μA
- 极低封装高度:1 mm
- 高温稳定性:Tj ≤185 °C
- 小型塑料封装,适合表贴设计
- 符合AEC-Q101标准
产品应用
- 电源保护
- 汽车电子应用
- 工业应用
- 电源管理
- 高温应用
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