逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET，采用LFPAK56封装。NextPowerS3产品组合利用恩智浦特有的“SchottkyPlus”技术，提供高频率低峰值性能，通常只有集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET才具有这种性能，并且没有令人烦恼的高漏电流问题。NextPowerS3特别适合于高开关频率下的高效应用。

• 超低QG、QGD和QOSS，可实现系统高效率，尤其是在开关频率较高时
• 带软恢复功能的超快速开关性能；s-factor > 1
• 针对低EMI设计的低峰值和振铃
• 特有的“SchottkyPlus”技术；类肖特基性能：漏电流<1?μA（25?°C时）
• 最适合4.5 V栅极驱动
• 低寄生电感和电阻
• 高可靠性夹片粘合和芯片焊接Power SO8封装；无胶合、无焊线，额定工作温度为175?°C
• 波焊；外露引脚，可实现最佳焊点目测

• 适合服务器和电信的板载DC-DC解决方案
• 电信应用中的次级侧同步整流
• 电压调节器模块(VRM)
• 负载点(POL)模块
• 针对V-core、ASIC、DDR、GPU、VGA和系统组件的功率输出
• 有刷与无刷马达控制

• NE1617ADS - 用于微处理器系统的温度监控器
• BC847C - 45 V，100 mA NPN通用晶体管
• BZX384-B15 - 稳压器二极管
• 74HC373PW - 八进制D型透明锁存器；3态
• 74HCT1G126GV - 总线缓冲器/线路驱动器；3态
• 74AUP1G175GF - 带复位功能的低功耗D型触发器；正沿触发器
• BLF8G20LS-230V - 功率LDMOS晶体管
• PMBTA44 - 400 V，0.3 A NPN高压低VCEsat (BISS)晶体管
• 74AHC(T)573 - 八进制D型透明锁存器；3态
• PSMN012-100YL - N-channel 100 V, 12 mΩ logic level MOSFET in LFPAK56