逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET，采用LFPAK56封装。NextPowerS3产品组合利用恩智浦特有的“SchottkyPlus”技术，提供高频率低峰值性能，通常只有集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET才具有这种性能，并且没有令人烦恼的高漏电流问题。NextPowerS3特别适合于高开关频率下的高效应用。

• 超低QG、QGD和QOSS，可实现系统高效率，尤其是在开关频率较高时
• 带软恢复功能的超快速开关性能；s-factor > 1
• 针对低EMI设计的低峰值和振铃
• 特有的“SchottkyPlus”技术；类肖特基性能：漏电流<1?μA（25?°C时）
• 最适合4.5 V栅极驱动
• 低寄生电感和电阻
• 高可靠性夹片粘合和芯片焊接Power SO8封装；无胶合、无焊线，额定工作温度为175?°C
• 波焊；外露引脚，可实现最佳焊点目测

• 适合服务器和电信的板载DC-DC解决方案
• 电信应用中的次级侧同步整流
• 电压调节器模块(VRM)
• 负载点(POL)模块
• 针对V-core、ASIC、DDR、GPU、VGA和系统组件的功率输出
• 有刷与无刷马达控制

• BUK9608-55A - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• PML260SN - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• BGU7053 - SiGe:C低噪声高线性度放大器
• BUK7Y98-80E - N沟道80 V，98 mΩ标准电平MOSFET，采用LFPAK56封装
• 74HCU04D - 六位元反相器
• BCW29; BCW30 - PNP通用晶体管
• BUK9K8R7-40E - 双N沟道40 V，9.4 m?逻辑电平MOSFET
• BZT52H-C9V1 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• 1PS88SB82 - 15 V、30 mA低Cd肖特基势垒二极管
• BC847C - 45 V，100 mA NPN通用晶体管