
BLF8G20LS-230V技术文档下载:
BLF8G20LS-230V产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- S9S12GNA16F0WLF - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- S9S12GA192F0CLL - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- 74LVT652DB,118 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- MC68HC11D0CFBE3 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- LPC4313JET100E - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- ASC8850ET/M2,557 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 应用特定微控制器
- MC10XS3412DPNAR2 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 配电开关,负载驱动器
- SPC5604BK0VLQ6 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- AFV10700HSR5 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET



BLF8G20LS-230V - 功率LDMOS晶体管
BLF8G20LS-230V是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品,BLF8G20LS-230V是功率LDMOS晶体管,本站介绍了BLF8G20LS-230V的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BLF8G20LS-230V相关的NXP元器件型号供参考。
BLF8G20LS-230V - 功率LDMOS晶体管 - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦
产品描述
230 W LDMOS功率晶体管,具有改进的视频带宽,适合1800 MHz至2000 MHz频率范围的基站应用。
产品特性和优势
- 出色的耐用性
- 高效率
- 低热阻,提供极佳的热稳定性
- 设计用于宽带操作
- 更低的输出电容,可增强Doherty应用中的性能
- 针对低内存占用量设计,提供出色的预失真性能
- 内部匹配,便于使用
- 集成式ESD保护
- 符合欧盟2002/95/EC危害性物质限制(RoHS)指令
产品应用
- 适合1800 MHz至2000 MHz频率范围内多标准和多载波应用的RF功率放大器
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