
PSMN6R1-30YLD技术文档下载:
PSMN6R1-30YLD产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
- HEF4555BT,653 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 信号开关,多路复用器,解码器
- MIMX8UD5CVP08SC - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- MPC8547ECVJAQGD - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- LS1046AXN8Q1A - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- 74LV165PW,118 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 移位寄存器
- LPC2420FBD208,551 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- BAP50-03,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 射频
- PDTA114YM,315 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管
- PZM24NB1,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- SPC5643LK0MLQ1R - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- 74HCT4060DB,112 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 计数器,除法器
- NZH7V5C,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- HEF4011UBP,652 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器
- SP5748GSK0AVMJ2R - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- P5010NSN7MMB - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- 74HCT4017D,652 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 计数器,除法器
- MMA1260DEGR2 - 传感器,变送器 > 运动传感器 > 加速计
- PEMI6QFN/LR,132 - 滤波器 > EMI/RFI 滤波器(LC,RC 网络)
- S912XEQ384BVAA - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MC88915TFN133R2 - 集成电路(IC) > 时钟/定时 > 时钟发生器,PLL,频率合成器



PSMN6R1-30YLD - N-channel 30 V, 6.1 mΩ logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPowerS3 Technology
PSMN6R1-30YLD是NXP恩智浦公司的一款通用MOSFET产品,PSMN6R1-30YLD是N-channel 30 V, 6.1 mΩ logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPowerS3 Technology,本站介绍了PSMN6R1-30YLD的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PSMN6R1-30YLD相关的NXP元器件型号供参考。
PSMN6R1-30YLD - N-channel 30 V, 6.1 mΩ logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPowerS3 Technology - 通用MOSFET - MOSFET - 恩智浦
产品描述
Logic level gate drive N-channel enhancement mode MOSFET in LFPAK56 package. NextPowerS3 portfolio utilising NXP’s unique “SchottkyPlus” technology delivers high efficiency, low spiking performance usually associated with MOSFETs with an integrated Schottky or Schottky-like diode but without problematic high leakage current. NextPowerS3 is particularly suited to high efficiency applications at high switching frequencies.
产品特性和优势
- Ultra low QG, QGD and QOSS for high system efficiency, especially at higher switching frequencies
- Superfast switching with soft-recovery; s-factor > 1
- Low spiking and ringing for low EMI designs
- Unique “SchottkyPlus” technology; Schottky-like performance with < 1 μA leakage at 25 °C
- Optimised for 4.5 V gate drive
- Low parasitic inductance and resistance
- High reliability clip bonded and solder die attach Power SO8 package; no glue, no wire bonds, qualified to 175 °C
- Wave solderable; exposed leads for optimal visual solder inspection
产品应用
- On-board DC-to-DC solutions for server and telecommunications
- Secondary-side synchronous rectification in telecommunication applications
- Voltage regulator modules (VRM)
- Point-of-Load (POL) modules
- Power delivery for V-core, ASIC, DDR, GPU, VGA and system components
- Brushed and brushless motor control
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