74AUP2GU04提供两个无缓冲反相门。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PUMB15 - PNP/PNP配电阻晶体管；R1 = 4.7 kΩ，R2 = 4.7 kΩ
• 74HCT138DB - 3至8线路解码器、解复用器；反相
• 74AUP1G00GS - 低功耗2输入与非门
• BC56-16PAS - 45 V/60 V/80 V, 1 A NPN medium power transistors
• PZU5.6B1A - 单倍齐纳二极管
• BZX585-C11 - 稳压器二极管
• PSMN4R8-100BSE - N沟道100 V 4.8 mΩ标准电平MOSFET，采用D2PAK封装
• P5CD051X0 - 安全双接口和接触式PKI智能卡控制器
• PSMN0R7-25YLD - N-channel 25 V, 0.7 mΩ logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPowerS3 Technology
• PMBTA42 - 300 V，100 mA NPN高压晶体管