74LVC1G14提供带施密特触发器输入的反相缓冲器功能。该类器件能够将缓慢变化的输入信号转换成清晰无抖动的输出信号。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用该器件。输入处的施密特触发器动作使电路容许较慢的输入上升和下降时间。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）。
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 无限上升和下降时间
• 输入可接受高达5 V的电压
• 多种封装选择
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V。
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C。

• 波形和脉冲整形器
• 非稳态多谐振荡器
• 单稳态多谐振荡器

• PCA9530 - 2位I2C总线LED调光器
• TEF6617T - 低中频、免校准模拟汽车无线电调谐器IC
• PCA9616PW - 3通道多点超快速模式差分I2C总线缓冲器，带热插拔逻辑
• 74LVC1G10GN - 单路3输入与非门
• BZB84-C2V4 - 双倍齐纳二极管
• BUK9230-100B - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• BC69-25PA - 20 V，2 A PNP中等功率晶体管
• BUK7Y38-100E - N-channel 100 V, 38 mΩ standard level MOSFET in LFPAK56
• BAS40-06W - 通用肖特基二极管
• PBSS4260QA - 60 V，2 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管