
PSMN4R0-30YL技术文档下载:
PSMN4R0-30YL产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- MC9S12B128VPVE - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
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- MRFE6VP61K25HR6 - 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- MC34940EGR2 - 集成电路(IC) > 接口 > 传感器和检测器接口
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- BZX79-B4V3,113 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- P1011NXE2HFB - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器



PSMN4R0-30YL - N沟道30 V 4 m?逻辑电平MOSFET,采用LFPAK封装
PSMN4R0-30YL是NXP恩智浦公司的一款通用MOSFET产品,PSMN4R0-30YL是N沟道30 V 4 m?逻辑电平MOSFET,采用LFPAK封装,本站介绍了PSMN4R0-30YL的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PSMN4R0-30YL相关的NXP元器件型号供参考。
PSMN4R0-30YL - N沟道30 V 4 m?逻辑电平MOSFET,采用LFPAK封装 - 通用MOSFET - MOSFET - 恩智浦
产品描述
逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管(FET),采用塑料封装,使用TrenchMOS技术。该产品仅设计适合用于工业和通信应用。
产品特性和优势
- 低开关和导通损耗,因而效率高
- 适用于逻辑电平栅极驱动源
产品应用
- D级放大器
- DC-DC转换器
- 马达控制
- 服务器电源
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