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PSMN1R3-30YL - N沟道30 V 1.3 m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装
PSMN1R3-30YL是NXP恩智浦公司的一款通用MOSFET产品，PSMN1R3-30YL是N沟道30 V 1.3 m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，本站介绍了PSMN1R3-30YL的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与PSMN1R3-30YL相关的NXP元器件型号供参考。
PSMN1R3-30YL - N沟道30 V 1.3 m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装 - 通用MOSFET - MOSFET - 恩智浦
产品描述
逻辑电平N沟道MOSFET，采用LFPAK封装，额定工作温度为150 °C。该产品设计适用于各种工业、通信及家用设备。
产品特性和优势
- 高级TrenchMOS提供低RDSon和低栅极电荷
- 开关电源转换器中的高效率增益
- 更强的机械特性和热特性
- LFPAK在Power SO8封装中提供最大的功率密度
产品应用
- DC-DC转换器
- 锂电池保护
- 负载开关
- 马达控制
- 服务器电源
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