逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET，采用150°C LFPAK56封装，使用先进的TrenchMOS超结技术。该产品设计适用于高性能电源开关应用。

• NextPower-S3技术可实现"带软恢复功能的超快速开关性能"
• 低QRR、QG和QGD，可实现系统效率高和EMI低的设计
• Schottky-Plus本体二极管可实现无相关IDSS高漏电流的软开关性能
• 采用NextPower-S3超结技术，最适合4.5V栅极驱动
• 高可靠性LFPAK (Power SO8)封装、铜夹片、芯片焊接，额定温度为150°C
• 外露引脚可实现波峰焊、焊点目测和高品质焊点
• 低寄生电感和电阻

• 同步整流
• DC-DC转换器
• 高性能与高效服务器电源
• 电机控制
• 电源ORing

• BCP53-16 - 80 V，1 A PNP中等功率晶体管
• BSP32 - 80 V，1 A PNP中等功率晶体管
• 74HC4017D - 约翰逊十进制计数器，带10个解码输出
• 2PC4081S - NPN通用晶体管
• BUK9K29-100E - 双N沟道100 V，29 mΩ逻辑电平MOSFET
• 74HCT193PW - 可预置同步4位二进制上行/下行计数器
• BUK9520-100A - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• PDTC124ET - NPN配电阻晶体管；R1 = 22 kΩ，R2 = 22 kΩ
• PSMN7R0-30MLC - N沟道30 V 7 m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术
• PCF8538UG - 通用102 x 9覆晶玻璃LCD段码驱动器