逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET，采用150°C LFPAK56封装，使用先进的TrenchMOS超结技术。该产品设计适用于高性能电源开关应用。

• NextPower-S3技术可实现"带软恢复功能的超快速开关性能"
• 低QRR、QG和QGD，可实现系统效率高和EMI低的设计
• Schottky-Plus本体二极管可实现无相关IDSS高漏电流的软开关性能
• 采用NextPower-S3超结技术，最适合4.5V栅极驱动
• 高可靠性LFPAK (Power SO8)封装、铜夹片、芯片焊接，额定温度为150°C
• 外露引脚可实现波峰焊、焊点目测和高品质焊点
• 低寄生电感和电阻

• 同步整流
• DC-DC转换器
• 高性能与高效服务器电源
• 电机控制
• 电源ORing

• HEF4070BT - 四路异或门
• PCA9531BS - 8位I2C总线LED调光器
• 74AUP2G97DP - Low-power dual PCB configurable multiple function gate
• 74AHC257D - 四路2输入多路复用器；3态
• 74ALVC245 - 八进制总线收发器；3态
• PDTC143ZQA - 50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistors
• BC53-10PAS - 45 V/60 V/80 V, 1 A PNP medium power transistors
• 74HCT367PW - 六位元缓冲器/线路驱动器；3态
• BC56-10PA - 80 V，1 A NPN中等功率晶体管
• PSMN4R1-60YL - N-channel 60 V, 4.1 mΩ logic level MOSFET in LFPAK56