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NXP产品 - PSMN1R0-40YLD介绍

PSMN1R0-40YLD - N沟道40 V 1.1 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装，使用NextPower-S3 Schottky-Plus技术

PSMN1R0-40YLD是NXP恩智浦公司的一款通用MOSFET产品，PSMN1R0-40YLD是N沟道40 V 1.1 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装，使用NextPower-S3 Schottky-Plus技术，本站介绍了PSMN1R0-40YLD的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与PSMN1R0-40YLD相关的NXP元器件型号供参考。

PSMN1R0-40YLD - N沟道40 V 1.1 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装，使用NextPower-S3 Schottky-Plus技术 - 通用MOSFET - MOSFET - 恩智浦

产品描述

逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET，采用150°C LFPAK56封装，使用先进的TrenchMOS超结技术。该产品设计适用于高性能电源开关应用。

产品特性和优势
  • NextPower-S3技术可实现"带软恢复功能的超快速开关性能"
  • 低QRR、QG和QGD，可实现系统效率高和EMI低的设计
  • Schottky-Plus本体二极管可实现无相关IDSS高漏电流的软开关性能
  • 采用NextPower-S3超结技术，最适合4.5V栅极驱动
  • 高可靠性LFPAK (Power SO8)封装、铜夹片、芯片焊接，额定温度为150°C
  • 外露引脚可实现波峰焊、焊点目测和高品质焊点
  • 低寄生电感和电阻
产品应用
  • 同步整流
  • DC-DC转换器
  • 高性能与高效服务器电源
  • 电机控制
  • 电源ORing
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