74AUP1G885在单一器件内提供两种函数。输出（1Y、2Y）的输出状态由输入（A、B和C）确定。输出1Y提供布尔函数： 1Y = A × C。输出2Y提供布尔函数：2Y = A × B + A × C。

所有输入的施密特触发器动作使电路在0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内容许较缓慢的输入上升时间和下降时间。

该器件可确保在0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内具有极低的静态和动态功耗。

该器件完全指定用于使用IOFF的部分掉电应用。IOFF电路可禁用输出，从而防止掉电时电流回流对器件造成的损坏。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大值）
• 根据JESD78 II类，锁存性能超过100 mA
• 输入接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲<VCC的10 %
• IOFF电路提供部分掉电模式操作
• 多个封装选项
• 指定温度范围为40 ℃至+85 ℃和40 ℃至+125 ℃

• PESD5V0S4UD - 采用SOT457封装的四倍ESD保护二极管阵列
• BLF2425M7L(S)250P - 功率LDMOS晶体管
• 74LVCH162373ADGG - 16位D型透明锁存器；30 Ω串联端接电阻；5 V容压输入/输出；3态
• 74LV165D - 8位串行输入/并行输出移位寄存器
• PDTD1xxxU series - 500 mA、50 V PNP配电阻晶体管
• BZB784-C5V6 - 双倍稳压器二极管
• HEF4028B - BCD至十进制解码器
• PMPB40SNA - 60 V N沟道Trench MOSFET
• 74AUP2G32 - 低功耗双路2输入或门
• BZB984-C3V3 - 双倍稳压器二极管