
PSMN165-200K技术文档下载:
PSMN165-200K产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- PBSS5330PA,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
- MPC8306VMABDCA - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- MFS2602AMDA0AD - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电源管理 - 专用
- MPC8378VRALGA - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- MC88915TFN55 - 集成电路(IC) > 时钟/定时 > 时钟发生器,PLL,频率合成器
- MC68HC908GZ60CFA - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- PCA9543AD,112 - 集成电路(IC) > 接口 > 专用
- CBT16210DGG,512 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 信号开关,多路复用器,解码器
- MMA6823KWR2 - 传感器,变送器 > 运动传感器 > 加速计
- SPC5673FF3MVR2R - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- SC68376BACAB25 - 嵌入式 - 微控制器
- MPC93H51FA - 集成电路(IC) > 时钟/定时 > 时钟发生器,PLL,频率合成器



PSMN165-200K - N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET
PSMN165-200K是NXP恩智浦公司的一款通用MOSFET产品,PSMN165-200K是N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET,本站介绍了PSMN165-200K的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PSMN165-200K相关的NXP元器件型号供参考。
PSMN165-200K - N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET - 通用MOSFET - MOSFET - 恩智浦
产品描述
SiliconMAX标准电平N沟道增强型场效应晶体管(FET),采用塑料封装,使用TrenchMOS技术。该产品仅设计适用于计算、通信、消费电子和工业应用。
产品特性和优势
- 低导通电阻,因而导通损耗很小
- 快速开关特性,因而适用于高频应用
产品应用
- 计算机主板
- DC-DC转换器
- 开关电源
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