
PSMN057-200P技术文档下载:
PSMN057-200P产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- S9S12G128AMLFR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
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- 1PS76SB40,135 - 未分类 > 未分类
- MC68HSC705J1ACPE - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- 74HC193D,652 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 计数器,除法器
- MC68HC908GZ16CFA - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MC33PF8100F3TSR2 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电源管理 - 专用
- LD6836CX4/36P,315 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 稳压器 - 线性
- DEVKIT-S12XE - 评估板 - 嵌入式 - MCU,DSP
- MRF5S9070MR1 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
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- BUK7880-55,135 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- MC33PF8200ESTS - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电源管理 - 专用
- MK10DN32VLH5 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器



PSMN057-200P - N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET
PSMN057-200P是NXP恩智浦公司的一款通用MOSFET产品,PSMN057-200P是N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET,本站介绍了PSMN057-200P的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PSMN057-200P相关的NXP元器件型号供参考。
PSMN057-200P - N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET - 通用MOSFET - MOSFET - 恩智浦
产品描述
SiliconMAX标准电平N沟道增强型场效应晶体管(FET),采用塑料封装,使用TrenchMOS技术。该产品仅设计适用于计算、通信、消费电子和工业应用。
产品特性和优势
- 低热阻抗,因而工作功率更高
- 低导通电阻,因而导通损耗很小
- 快速开关特性,因而适用于高频应用
产品应用
- DC-DC转换器
- 开关电源
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