74LVC373A由八个D型穿透锁存器组成，具有适用于每个锁存器的单独D型输入和适合总线应用的3态真正输出。锁存使能输入（针脚LE）和输出使能输入（针脚OE）为所有内部锁存器共用。

针脚LE为高电平时，D输入（针脚D0至D7）处的数据会输入锁存器。在这种情况下，锁存器是穿透的，即每当与锁存输出对应的D输入发生变化时，锁存输出就会随之变化。针脚LE为低电平时，锁存器存储针脚LE从高电平跃迁至低电平前的一个设置时间在D输入处出现的信息。

针脚OE为低电平时，八个锁存器的内容可在Q输出（针脚Q0至Q7）上获取。针脚OE为高电平时，输出转为高阻抗关断状态。输入引脚OE的操作不会影响锁存器的状态。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。禁用时，可以向输出施加高达5.5 V的电压。这些特性允许将这些器件用作混合3.3 V和5 V应用中的转换器。

74LVC373A在功能上等同于74LVC573A，但针脚排列不同。

• 5 V容压输入/输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 1.2至3.6 V的宽电源电压范围
• CMOS低功耗
• 具有TTL电平的直接接口
• VCC = 0 V时的高阻抗输出
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7A（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5A（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-C/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-B超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74AUP1G09 - 低功耗2输入与门，带开漏输出
• PBSS5160T - 60 V、1 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• PBSS304NZ - 60 V，5.2 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管
• PBSS5140T - 40 V、1 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• BGU7062N2 - 模拟高线性度低噪声可变增益放大器
• BZX884-C68 - 稳压器二极管
• 74LVC2GU04GW - 双路反相器
• 74LVC1GU04GM - 非缓冲反相器
• PMEG6010CEJ - 1 A极低VF MEGA肖特基势垒整流二极管
• PMZB390UNE - 30 V, N-channel Trench MOSFET