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PMXB65UPE - 12 V，P沟道Trench MOSFET
PMXB65UPE是NXP恩智浦公司的一款通用MOSFET产品，PMXB65UPE是12 V，P沟道Trench MOSFET，本站介绍了PMXB65UPE的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与PMXB65UPE相关的NXP元器件型号供参考。
PMXB65UPE - 12 V，P沟道Trench MOSFET - 通用MOSFET - MOSFET - 恩智浦
产品描述
P沟道增强模式场效应晶体管(FET)，采用无铅超小型DFN1010D-3 (SOT1215)表面贴装器件(SMD)塑料封装，使用Trench MOSFET技术。
产品特性和优势
- Trench MOSFET技术
- 无铅超小超薄型SMD塑料封装：1.1 × 1.0 × 0.37 mm
- 外露式漏极垫片，导热性能出色
- 静电放电(ESD)保护1.5 kV HBM
- 漏极-源极导通电阻RDSon = 59 m?
- 适合便携式应用的极低栅极-源极阈值电压VGS(th) = -0.68 V
产品应用
- 便携设备的高端负载开关和充电开关
- 电池驱动型便携设备的电源管理
- LED驱动器
- DC-DC转换器
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