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PMFPB8032XP产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- 74HC123PW,118 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 多谐振荡器
- 74ALVCH16843DGG:11 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 锁存器
- MF1FCP2S50/DH,118 - 射频和无线 > RFID,射频接入,监控 IC
- BFQ67W,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极射频晶体管
- ACP-CYCLONE - 编程器,仿真器和调试器
- MC68HC908GR8CDW - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- PHD55N03LTA,118 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- MK12DX256VLK5 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- S32G398ASDK1VUCR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器



PMFPB8032XP - 20 V,3.7 A / 320 mV VF P沟道MOSFET肖特基系列
PMFPB8032XP是NXP恩智浦公司的一款通用MOSFET产品,PMFPB8032XP是20 V,3.7 A / 320 mV VF P沟道MOSFET肖特基系列,本站介绍了PMFPB8032XP的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PMFPB8032XP相关的NXP元器件型号供参考。
PMFPB8032XP - 20 V,3.7 A / 320 mV VF P沟道MOSFET肖特基系列 - 通用MOSFET - MOSFET - 恩智浦
产品描述
小信号P沟道增强型场效应晶体管(FET),采用小型无引脚超薄DFN2020-6 (SOT1118)表面贴装器件(SMD)塑料封装,结合Trench MOSFET技术和超低VF高能效通用型(MEGA)肖特基二极管。
产品特性和优势
- RDSon的额定电压为1.8 V,适用于低压栅极驱动
- 小型无引脚超薄SMD塑料封装:2 × 2 × 0.65 mm
- 外露式漏极垫片,可实现出色的导热性
- 集成式超低VF MEGA肖特基二极管
产品应用
- 用于便携式设备的充电开关
- DC-DC转换器
- 电池驱动便携式设备的电源管理
- 硬盘和计算能力管理
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