74LVC06A提供六个反相缓冲器。输出为开漏且可以连接到其它开漏输出以实施低电平有效有线OR或高电平有效有线AND功能。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许将这些器件用作混合3.3 V和5 V应用中的转换器。

• 5 V容压输入和输出（开漏），可实现与5 V逻辑的接合
• 1.2 V至5.5 V的宽电源电压范围
• CMOS低功耗
• 具有TTL电平的直接接口
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7A（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5A（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-C/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-B超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PMBF4392 - N沟道FET
• BUK9C07-65BIT - N沟道TrenchPLUS逻辑电平FET
• KMZ41 - 磁阻传感器
• 74HCT30PW - 8输入与非门
• TEA1723BT - 适用于11 W应用、集成功率MOSFET通过高压启动的反激控制器，f~burst = 905 Hz
• PDZ3.6B - 稳压器二极管
• PDTA124XT - PNP配电阻晶体管；R1 = 22 kOhm，R2 = 47 kOhm
• BUK9Y19-100E - N沟道100 V，19 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装
• 74AUP1G3208 - 低功耗3输入或与门
• 74HC7541D - 八进制施密特触发缓冲器/线路驱动器；3态