
BLL6H1214P2S-250技术文档下载:
BLL6H1214P2S-250产品应用图解:
NXP恩智浦芯片:
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- PVR100AD-B5V0,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
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- SPC5634MF1MLU60 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- 74AHC1G09GV,125 - 未分类 > 未分类
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- PESD5V0S1UB,115 - 未分类 > 未分类
- BUK7L11-34ARC,127 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
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BLL6H1214P2S-250 - LDMOS L-band radar power module
BLL6H1214P2S-250是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品,BLL6H1214P2S-250是LDMOS L-band radar power module,本站介绍了BLL6H1214P2S-250的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BLL6H1214P2S-250相关的NXP元器件型号供参考。
BLL6H1214P2S-250 - LDMOS L-band radar power module - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦
产品描述
250 W LDMOS power module intended for L-band radar applications in the frequencyrange from 1.2 GHz to 1.4 GHz.
产品特性和优势
- Input/output 50 Ω matched
- High flexibility with respect to pulse formats
- Excellent ruggedness
- High efficiency
- Excellent thermal stability
- Designed for broadband operation (1.2 GHz to 1.4 GHz)
- Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances(RoHS)
产品应用
- L-band radar applications in the frequency range 1.2 GHz to 1.4 GHz
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