超低电容单向静电放电(ESD)保护二极管设计用于保护单条信号线免受ESD和其他瞬态电压导致的损坏。

该器件采用超小型无引脚SOD882D表面贴装设备(SMD)塑料封装，具有可见且可焊的侧焊盘。

该器件结合极低电容和超低钳位电压特性，适用于高速数据线保护应用。

• 单条线路的ESD保护
• IEC 61000-4-2四级(ESD)
• 超低二极管电容：Cd = 0.95 pF
• 超小型SMD塑料封装
• 超低钳位电压：VCL = 8 V
• 可焊镀锡侧焊盘
• 超低漏电流：IRM = 1 nA
• 符合AEC-Q101标准
• 高达8 kV的ESD保护

• 计算机和外设
• 便携式电子设备
• 音频和视频设备
• 用户身份识别模块(SIM)卡保护
• 手机和附件
• USB、高清多媒体接口(HDMI)、FireWire
• 10/100/1000 Mbit/s以太网
• 高速数据线
• 通信系统

• 74AUP1G14GW - 低功耗施密特触发反相器
• BC857QAS - 45 V, 100 mA PNP/PNP general-purpose transistor
• PMEG6020AELR - 60 V, 2 A low leakage current Schottky barrier rectifier
• NX7002BKW - 60 V, single N-channel Trench MOSFET
• NX3020NAK - 30 V，单N沟道Trench MOSFET
• BUK9832-55A - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• PBSS5350SS - 50 V，2.7 A PNP/PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• 74HCT4075DB - 三路3输入或门
• PSMN011-80YS - N沟道LFPAK 80 V 11 m?标准电平MOSFET
• 74HCT2G02DP - 双路2输入或非门