超低电容单向静电放电(ESD)保护二极管设计用于保护单条信号线免受ESD和其他瞬态电压导致的损坏。

该器件采用超小型无引脚SOD882D表面贴装设备(SMD)塑料封装，具有可见且可焊的侧焊盘。

该器件结合极低电容和超低钳位电压特性，适用于高速数据线保护应用。

• 单条线路的ESD保护
• IEC 61000-4-2四级(ESD)
• 超低二极管电容：Cd = 0.95 pF
• 超小型SMD塑料封装
• 超低钳位电压：VCL = 8 V
• 可焊镀锡侧焊盘
• 超低漏电流：IRM = 1 nA
• 符合AEC-Q101标准
• 高达8 kV的ESD保护

• 计算机和外设
• 便携式电子设备
• 音频和视频设备
• 用户身份识别模块(SIM)卡保护
• 手机和附件
• USB、高清多媒体接口(HDMI)、FireWire
• 10/100/1000 Mbit/s以太网
• 高速数据线
• 通信系统

• PDTB1xxxU series - 500 mA、50 V PNP配电阻晶体管
• 2PD601ARL; 2PD601ASL - 50 V，100 mA NPN通用晶体管
• TJA1050 - 高速CAN收发器
• PTVS8V5S1UR - 400 W瞬态电压抑制器
• PSMN2R5-60PL - N沟道60 V，2.6 m?逻辑电平MOSFET，采用SOT78封装
• BUK7Y25-60E - N-channel 60 V, 25 mΩ standard level MOSFET in LFPAK56
• 74HC(T)373 - 八进制D型透明锁存器；3态
• 74LVC32A - 四路2输入或门
• BUK625R0-40C - N沟道TrenchMOS中间电平FET
• BLF574XRS - 功率LDMOS晶体管