74AUP1G14提供可接受标准输入信号的单路反相施密特触发器。其能够将缓慢变化的输入信号转换成清晰无抖动的输出信号。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全针对使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

输入针对正向和负向信号在不同点进行切换。正电压VT+和负电压VT-之差定义为输入迟滞电压VH.

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为?40 °C至+85 °C和?40 °C至+125 °C

• 波形和脉冲整形器
• 无稳态多谐振荡器
• 单稳态多谐振荡器

• PMPB29XNE - 30 V，单N沟道Trench MOSFET
• 74HC08D - 四路2输入与门
• 2PD602AQL - 50 V，500 mA NPN通用晶体管
• PHP79NQ08LT - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• 74HC05D - 六位元反相器，带开漏输出
• BZX84J-B2V7 - 单倍齐纳二极管
• HEF4040B - 12级二进制纹波计数器
• PESD3V3S4UF; PESD5V0S4UF - 单向四倍ESD保护二极管阵列
• BZA900AVL series - 四倍低电容ESD抑制器
• PTVS22VS1UR - 400 W瞬态电压抑制器