超低电容单向静电放电(ESD)保护二极管设计用于保护单条信号线免受ESD和其他瞬态电压导致的损坏。该器件采用超小型无引脚SOD882D表面贴装设备(SMD)塑料封装，具有可见且可焊的侧焊盘。

• 单条线路的ESD保护
• 高达15 kV的ESD保护
• 超低二极管电容：Cd = 1.55 pF
• IEC 61000-4-2四级(ESD)
• 超小型SMD塑料封装
• 低钳位电压：VCL = 9 V
• 可焊侧焊盘
• IEC 61000-4-5（浪涌）；IPP = 2 A
• 封装高度典型值：0.37 mm
• 符合AEC-Q101标准
• 超低漏电流：IRM = 1 nA

• 计算机和外设
• 便携式电子设备
• 音频和视频设备
• 用户身份识别模块(SIM)卡保护
• 手机和附件
• USB、高清多媒体接口(HDMI)、FireWire
• 10/100/1000 Mbit/s以太网
• 高速数据线
• 通信系统

• 74LVC377DB - 带数据使能的八频D型触发器；正沿触发器
• 74LVC2244AD - 八位元缓冲器/线路驱动器；30 Ω串联端接电阻；5 V容压输入/输出；3态
• 74AVC16374DGG - 16位边沿触发D型触发器；3.6 V容压（三态）
• NZX11B - 单倍齐纳二极管
• BZB84-C68 - 双倍齐纳二极管
• 74AUP2G3407GW - 低功耗单路缓冲器；单路缓冲器，带开漏
• 74AUP3G34GM - 低功耗三路缓冲器
• PMV27UPEA - 20 V, P-channel Trench MOSFET
• NCX2222DP - 低压比较器；开漏输出
• PHD38N02LT - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET