74AUP1T57提供低功耗、低电压的可配置逻辑门功能。输出状态由3位输入的八种模式确定。用户可以选择逻辑功能AND、OR、NAND、NOR、 XNOR、反相器和缓冲器。所有输入都可连接到VCC或GND。

该器件可确保整个2.3 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

74AUP1T57针对逻辑电平转换应用而设计，具有可接受1.8 V低压CMOS信号的输入切换电平，工作时采用2.5 V或3.3 V单电源电压。

电池电压从3.6 V降至2.3 V时，宽电源电压范围可确保正常运行。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

施密特触发器输入使电路容许整个VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

• 2.3 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 1.5 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74AUP1G07GN - 低功耗缓冲器，带开漏输出
• PDTD123YU - 500 mA、50 V PNP配电阻晶体管
• 74AUP2G38DC - 低功耗双路2输入与非门；开漏
• 74LV74 - 带设置和复位功能的八频D型触发器；正沿触发器
• 74HCT153PW - 双路4输入多路复用器
• BUK9Y3R0-40E - N沟道40 V 3.0 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装
• 74AHC3G14DC - 三路反相施密特触发器
• SC18IS602BIPW - I2C总线至SPI桥
• PMV48XP - 20 V，3.5 A P沟道Trench MOSFET
• CLF1G0060(S)-10 - 宽带RF功率GaN HEMT