74AUP1T57提供低功耗、低电压的可配置逻辑门功能。输出状态由3位输入的八种模式确定。用户可以选择逻辑功能AND、OR、NAND、NOR、 XNOR、反相器和缓冲器。所有输入都可连接到VCC或GND。

该器件可确保整个2.3 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

74AUP1T57针对逻辑电平转换应用而设计，具有可接受1.8 V低压CMOS信号的输入切换电平，工作时采用2.5 V或3.3 V单电源电压。

电池电压从3.6 V降至2.3 V时，宽电源电压范围可确保正常运行。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

施密特触发器输入使电路容许整个VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

• 2.3 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 1.5 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74LV14D - 十六进制反相施密特触发器
• 74HC151DB - 8输入多路复用器
• NX3L1T53 - 低电阻单刀双掷模拟开关
• BLF7G24LS-100 - 功率LDMOS晶体管
• 74AXP1G32GX - 低功耗2输入或门
• TEA1721BT - 适用于5 W应用、集成功率MOSFET通过高压启动的反激控制器，f~burst = 905 Hz
• BZV49-C3V6 - 稳压器二极管
• 74HCT27BQ - 三路3输入或非门
• BUK7526-100B - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• 74AUP2G157GD - 低功耗2输入多路复用器