
PESD5V0H1BSF技术文档下载:
PESD5V0H1BSF产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- LS1012AXE7HKB - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
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- MCR908JL3EMPE - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- N74F10D,602 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器
- NCF2972MTT/TPE080J - 射频和无线 > RFID,射频接入,监控 IC
- S9KEAZN8AMTGR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MWE6IC9100NR1 - 射频和无线 > 射频放大器
- MRF8P20160HSR3 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
- MK22DN512VLH5 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- BUK7605-30A,118 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- MW7IC2040NR1 - 射频和无线 > 射频放大器
- MPC8314VRAGDA - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器



PESD5V0H1BSF - 超低电容双向ESD保护二极管
PESD5V0H1BSF是NXP恩智浦公司的一款超低电容ESD保护设备(< 2 pF)产品,PESD5V0H1BSF是超低电容双向ESD保护二极管,本站介绍了PESD5V0H1BSF的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PESD5V0H1BSF相关的NXP元器件型号供参考。
PESD5V0H1BSF - 超低电容双向ESD保护二极管 - 超低电容ESD保护设备(< 2 pF) - 通用ESD保护设备 - 恩智浦
产品描述
超低电容双向静电放电(ESD)保护二极管,TrEOS保护系列的一部分。该器件采用超小型无引脚DSN0603-2 (SOD962)表面贴装设备(SMD)封装。TrEOS保护系列经过优化,可以防止超敏感型高速接口受到ESD脉冲影响,具有高水平耐用性。
产品特性和优势
- 单条线路的双向ESD保护
- 极低二极管电容:
- Cd = 0.15 pF (1 MHz)
- Cd = 0.13 pF (2.5 GHz)
- 提供高达±15 kV的ESD保护,符合IEC 61000-4-2标准
- 超小型SMD封装
产品应用
ESD和浪涌保护: - 超高速数据线
- 超敏感型接口线
- 通用接口线
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