毫微微法拉级(femtofarad)双向静电放电(ESD)保护二极管设计用于保护单条信号线，使其免受ESD和其他瞬态电压导致的损坏。该器件采用超小型无引脚DFN1006D-2 (SOD882D)表面贴装设备(SMD)塑料封装，具有可见且可焊的侧焊盘。

该器件结合极低电容、高ESD最大额定值和超小型封装等特性，适用于高速数据线的保护以及天线保护应用。

• 单条线路的双向ESD保护
• 毫微微法拉级(femtofarad)电容：Cd = 400 fF
• 低ESD钳位电压：30 V（30 ns、±8 kV）
• 极低漏电流：IRM< 1 nA
• 高达10 kV的ESD保护
• IEC 61000-4-2四级(ESD)
• 封装高度典型值：0.37 mm
• 符合AEC-Q101标准

• 10/100/1000 Mbit/s以太网
• FireWire
• 高速数据线
• SIM卡保护
• 手机和附件
• 便携式电子设备
• 通信系统
• 计算机和外设
• 音频和视频设备
• 天线保护

• 74HC04PW - 六位元反相器
• BZX79-B6V2 - 稳压器二极管
• PSMN8R0-80YL - N-channel 80 V, 8 mΩ logic level MOSFET in LFPAK56
• PDTC123YU - NPN配电阻晶体管；R1 = 2.2 kOhm，R2 = 10 kOhm
• PDTC114YT - NPN配电阻晶体管；R1 = 10 kΩ，R2 = 47 kΩ
• BUK9217-75B - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• PHKD13N03LT - 双N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• 74AUP1G332GF - 低功耗3输入或门
• MIFARE DESFire EV1 2K - MIFARE DESFire EV1非接触式多用途芯片
• PMBT3906VS - 40 V，200 mA PNP/PNP开关晶体管