74AUP1G332提供一个3输入或门。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 uA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74LVTH16374ADGG - 3.3 V 16位边沿触发D型触发器（三态）
• PSMN2R7-30BL - N沟道30 V 3.0 m?逻辑电平MOSFET，采用D2PAK封装
• PH2520U - N沟道TrenchMOS超低电平FET
• PCA8550D - 4位多路复用/1位闭锁的5位I2C EEPROM DIP开关
• 74HCT2G66DC - 双路单刀单掷模拟开关
• SC16IS762IBS - 带有I2C总线/SPI接口、64字节发送和接收FIFO以及IrDA SIR内置式支持的双通道UART
• BCP53-16 - 80 V，1 A PNP中等功率晶体管
• MF1SPLUS8001DUD - 适用于快速简单的解决方案开发的主流非接触式智能卡IC
• BUK7107-55ATE - N沟道TrenchPLUS标准电平FET
• BAS32L - 高速开关二极管