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PESD3V3L4UG产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- BF1208D,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
- LD6806F/27P,115 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 稳压器 - 线性
- P1014NSN5FFA - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- LS1028AYE7HNA - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- MKL27Z128VLH4R - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MC68SEC000AA20 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- S32K314EHT1VPBST - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- S9S12VR32F0VLC - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- PDTC144WK,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管
- MC9S08JE128VMB - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器



PESD3V3L4UG - 低电容单向四倍ESD保护二极管阵列
PESD3V3L4UG是NXP恩智浦公司的一款低电容ESD保护设备产品,PESD3V3L4UG是低电容单向四倍ESD保护二极管阵列,本站介绍了PESD3V3L4UG的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PESD3V3L4UG相关的NXP元器件型号供参考。
PESD3V3L4UG - 低电容单向四倍ESD保护二极管阵列 - 低电容ESD保护设备 - 通用ESD保护设备 - 恩智浦
产品描述
低电容单向四倍静电放电(ESD)保护二极管阵列采用小型表面贴装设备(SMD)塑料封装,保护最多四条信号线免受ESD和其他瞬态电压导致的损坏。
产品特性和优势
- 最多4条线路的ESD保护
- 低二极管电容
- 最大峰值脉冲功率:PPP = 30 W
- 低钳位电压:VCL = 12 V
- 超低漏电流:IRM = 5 nA
- 高达20 kV的ESD保护
- IEC 61000-4-2四级(ESD)
- IEC 61000-4-5(浪涌);IPP = 2.5 A
- 符合AEC-Q101标准
产品应用
- 计算机和外设
- 通信系统
- 音频和视频设备
- 便携式电子设备
- 手机和附件
- 用户身份识别模块(SIM)卡保护
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