74LVC125A由四个带3态输出(nY)的非反相缓冲器/线路驱动器组成，由输出使能输入(nOE)进行控制。nOE处的高电平使输出呈高阻抗关断状态。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。禁用时，可以向输出施加高达5.5 V的电压。

• 5 V容压输入/输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 2.3 V至3.6 V的宽电源电压范围
• CMOS低功耗
• 具有TTL电平的直接接口
• 符合JEDEC标准JESD8-B/JESD36
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7A（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5A（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-C/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-B超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PSMN3R0-30MLC - N沟道30 V 3.15m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术
• SAF1761BE - 高速通用串行总线便携式控制器
• 74LVC3G04DC - 三路反相器
• PESD15VS1UB - 采用SOD523封装的ESD保护二极管
• 74HC4094D - 8级移位和存储总线寄存器
• BAT120S - 双倍肖特基势垒二极管
• BLF8G10LS-270 - 功率LDMOS晶体管
• PHD71NQ03LT - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• 74VHCT02BQ - 四路2输入或非门
• 74AUP1G157GN - 低功耗2输入多路复用器