这些器件是一系列RC低通滤波器。它们设计用于过滤便携式通信或计算设备I/O端口上的无用RF信号。这些器件集成有二极管，保护下游元件免受高达±25 kV静电放电(ESD)电压的影响。

这些器件采用单片硅技术制造，采用无铅塑料封装。

表 1. 产品概览

型号

封装

通道数

封装间距(mm)

封装配置

PEMI1QFN

SOT883

1

-

3针脚MicroPak（兼容QFN）

PEMI2QFN

SOT886

2

0.5

6针脚MicroPak（兼容QFN）

PEMI2STD

SOT665

1

-

5针脚微引脚

PEMI4QFN

SOT1157-1

4

0.4

8针脚极薄无引脚

PEMI6QFN

SOT1158-1

6

0.4

12针脚极薄无引脚

PEMI8QFN

SOT1159-1

8

0.4

16针脚极薄无引脚

• 符合危险物质使用限制(RoHS)标准的无铅封装，无卤/无锑（符合“深绿”标准）
• 集成式1、2、4、6和8通道n型RC滤波器网络
• 高达±25 kV接触放电的ESD保护，符合IEC 61000-4-2标准，远高于第四级标准

为下列应用提供通用电磁干扰(EMI)和射频干扰(RFI)滤波以及下游器件的ESD保护：

• 移动电话和个人通信系统(PCS)手机
• 无绳电话
• 无线数据(WAN/LAN)系统

• BUK969R3-100E - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• P5CD128X0 - 安全双接口和接触式PKI智能卡控制器
• CBT3306PW - 双路总线开关
• TEF6613T - 低中频、免校准模拟汽车无线电调谐器IC
• 74LVC1GX04 - 晶体驱动器
• 74HCT2G04GW - 双路反相器
• PESDxS2UT series - 采用SOT23封装的双ESD保护二极管
• BB202 - 低压变容二极管
• PHB45NQ15T - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• PMZ550UNE - 30 V, N-channel Trench MOSFET