

- MC9S08QE128CLKR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- NE1619DS,118 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 热管理
- MC9S12XD256VAL - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- PDTB123TK,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管
- KMPC8323EZQADDC - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- S9KEAZN8AVTG - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- S32G399AADK1VUCR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- MRF6V14300HR3 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
- MC9S08QE4CTGR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- LD6836TD/20P,125 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 稳压器 - 线性
- FS32K144UAT0VLLR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MK40DX64VLH7 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- S9S12G128F0MLF - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- 74AHC04PW,112 - 未分类 > 未分类
- LPC5534JBD64MP - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- 74LVCH16374ABQ,518 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 触发器
- PBSS4260QAZ - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
- MC9S08DZ48AMLH - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- CLF1G0035-100P - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
- 74HC109D/AUJ - 集成电路(IC) > 逻辑 > 触发器



PCA9558PW - 8位I2C总线和SMBus I/O端口,带有5位多路复用/1位闭锁的6位I2C总线EEPROM DIP开关和2-kbit EEPROM
PCA9558PW是NXP恩智浦公司的一款I²C通用I/O产品,PCA9558PW是8位I2C总线和SMBus I/O端口,带有5位多路复用/1位闭锁的6位I2C总线EEPROM DIP开关和2-kbit EEPROM,本站介绍了PCA9558PW的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PCA9558PW相关的NXP元器件型号供参考。
PCA9558PW - 8位I2C总线和SMBus I/O端口,带有5位多路复用/1位闭锁的6位I2C总线EEPROM DIP开关和2-kbit EEPROM - I²C通用I/O - I²C - 恩智浦
PCA9558是一款高度集成的多功能器件,由5位多路复用/1位闭锁的6位I2C总线/SMBus EEPROM DIP开关、8位I/O扩展器和带有写保护的2-kbit串行EEPROM组成。PCA9558将这些常用的组件集成入单个芯片中以减少组件数并降低电路板空间要求,在计算机、服务器和电信/网络应用中很有用。 多路复用/闭锁EEPROM DIP开关 用于在由I2C总线/SMBus接口提供的和储存在EEPROM中的一组5位默认硬件输入和备用输入组之间选择数字信息。此类选择的示例包括处理器电压配置或处理器厂商识别(VID)。由于通过I2C总线/SMBus可轻松更改设置而无需关闭设备电源以打开机柜,所以多路复用/闭锁EEPROM也可用于替换DIP开关或跳线。非易失性存储器会保留电源关闭前所选的最新设置。 8位I/O扩展器 用于控制、监视或收集远程信息或者为LED供电。被监视或收集的信息可通过I2C总线/SMBus读取或可储存在内部EEPROM中。 2-kbit串行EEPROM 用于储存每块主板/线路卡上的卡识别或修改/维护历史等信息并可在需要时通过I2C总线/SMBus读取或写入。
PCA9558具有一个地址引脚,允许在同一I2C总线或SMBus上安置最多两个器件。
- 5位二选一多路复用器、1位闭锁DIP开关
- 通过I2C总线可对6位MUX_OUTx和NON_MUXED_OUT EEPROM进行编程和读取
- 5 V耐受开漏MUX_OUTx和NON_MUXED_OUT输出
- 低电平有效的超驰输入强制所有MUX_OUTx输出为逻辑0
- I2C总线可读取的MUX_INx输入
- 5 V耐受开漏IOx引脚,上电时默认为输出
- 一个地址引脚,允许I2总线上最多有两个器件
- 8个I/O引脚的低电平有效复位输入,带有内部上拉
- 通过I2C总线或I/O可对2048位EEPROM进行编程和读取
- 3.0 V至3.6 V的工作电源电压范围
- SMBus符合固定的3.3V电平
- 2.5 V至5 V耐受输入
- ESD保护:按JESD22-A114超过2000 V HBM,按JESD22-C101超过1000 V CDM
- 已按照JEDEC标准JESD78完成闭锁测试,超过100 mA
- 板卡版本跟踪和配置
- 板卡健康监视和状态报告
- 电信、网络和基站基础设备中的多卡系统
- 已安装板卡的现场恢复和故障排除功能
- 带有DIP开关和存储器的通用集成I/O
- BLF8G27LS-100(G)V - 功率LDMOS晶体管
- PTVS60VS1UR - 400 W瞬态电压抑制器
- PZU24B2L - 单倍齐纳二极管
- TEA1723AT - 适用于11 W应用、集成功率MOSFET通过高压启动的反激控制器,f~burst = 430 Hz
- BB145B - 低压变容二极管
- PDTC124XT - NPN配电阻晶体管;R1 = 22 kOhm,R2 = 47 kOhm
- 74AXP1G125 - 低功耗缓冲器/线路驱动器(三态)
- 74AHC02PW - 四路2输入或非门
- 74HC(T)3G16 - 三路缓冲器门
- BZT52H-B5V6 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管



