74AXP1G125是具有三态输出的单路缓冲器/线路驱动器。

所有输入的施密特触发器动作使电路高度容许较缓慢的输入上升时间和下降时间。

该器件可确保0.7 V至2.75 V的整个VCC范围内的极低静态和动态功耗。它完全指定用于使用IOFF的部分掉电应用。IOFF电路可禁用输出，从而防止掉电时电流回流对器件造成潜在损坏。

• 0.7 V至2.75 V的宽电源电压范围
• 低输入电容；CI = 0.5 pF（典型值）
• 低输出电容；CO = 1.0 pF（典型值）
• 低动态功耗；VCC = 1.2 V时CPD = 2.5 pF（典型值）
• 低静态功耗；ICC = 0.6 μA（最大85 °C）
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12A.01（1.1 V至1.3 V）
  • JESD8-11A.01（1.4 V至1.6 V）
  • JESD8-7A（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5A.01（2.3 V至2.7 V）
• ESD保护：
  • HBM ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 2类超过2 kV
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 根据JESD 78 II类，锁存性能超过100 mA
• 输入接受高达2.75 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲<VCC的10 %
• IOFF电路提供部分掉电模式操作
• 多个封装选项
• 指定温度范围为-40 °C至+85 °C

• BLF2425M6LS180P - 功率LDMOS晶体管
• BGA6589 - MMIC宽带中等功率放大器
• SLRC61002HN - 高性能ISO/IEC 15693读卡器解决方案
• CBT3245ADB - 八路总线开关
• PHPT61006NY - 100 V、6A NPN高功率双极性晶体管
• OL2300NHN - 基于小数N分频锁相环的发射器
• BLU6H0410L(S)-600P - 功率LDMOS晶体管
• 74LVT2244DB - 3.3V八位元缓冲器/线路驱动器，具有30 Ohm串联端接电阻（3态）
• 74ALVC125 - 四路缓冲器/线路驱动器；3态
• BUK7Y7R2-60E - N沟道60 V，7.2 mΩ标准电平MOSFET，采用LFPAK56封装