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PBSS9110D产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- PDTC123EE,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管
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- MC34VR500V4ES - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电源管理 - 专用
- PCA8581T/6,118 - 集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
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- HEF4104BT,652 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 转换器,电平移位器
- 74HC365DB,112 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- PBSS5350Z,135 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
- MC33772BSP2AER2 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电池管理
- 74AHCT3G04GD,125 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器
- MFS2611AMDA0AD - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电源管理 - 专用
- SC18IS604-EVB - 开发板,套件,编程器 > 评估板 > 评估和演示板及套件



PBSS9110D - 100 V、1 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
PBSS9110D是NXP恩智浦公司的一款低压低VCEsat (BISS)晶体管产品,PBSS9110D是100 V、1 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管,本站介绍了PBSS9110D的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PBSS9110D相关的NXP元器件型号供参考。
PBSS9110D - 100 V、1 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管 - 低压低VCEsat (BISS)晶体管 - 低VCEsat(BISS)晶体管 - 恩智浦
产品描述
PNP低VCEsat突破性小信号(BISS)晶体管,采用SOT457 (SC-74)小型表面贴装器件(SMD)塑料封装。
NPN补充:PBSS8110D。
产品特性和优势
- 低集电极-发射极饱和电压VCEsat
- 高集电极电流能力IC和ICM
- 高集电极电流增益:hFE(高IC时)
- 发热量更低、能效更高
- 与传统晶体管相比,所需的印刷电路板(PCB)面积更少
- 符合AEC-Q101标准
产品应用
- 高压DC-DC转换
- 高压MOSFET栅极驱动
- 高压电机控制
- 高压电源开关(如电机、风扇)
- 汽车应用
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