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PBSS4360PAS - 60 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
PBSS4360PAS是NXP恩智浦公司的一款低压低VCEsat (BISS)晶体管产品，PBSS4360PAS是60 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor，本站介绍了PBSS4360PAS的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与PBSS4360PAS相关的NXP元器件型号供参考。
PBSS4360PAS - 60 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor - 低压低VCEsat (BISS)晶体管 - 低VCEsat（BISS）晶体管 - 恩智浦
产品描述
NPN low VCEsat Breakthrough in a Small Signal (BISS) transistor, encapsulated in an ultra thin DFN2020D-3 (SOT1061D) leadless small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with medium power capability and visible and soldarable side pads.
PNP complement: PBSS5360PAS
产品特性和优势
- Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
- High collector current capability IC and ICM
- High collector current gain (hFE) at high IC
- High efficiency due to less heat generation
- High temperature applications up to 175 °C
- Reduced Printed-Circuit Board (PCB) area requirements
- Leadless small SMD plastic package with soldarable side pads
- Exposed heat sink for excellent thermal and electrical conductivity
- Suitable for Automatic Optical Inspection (AOI) of solder joint
- AEC-Q101 qualified
产品应用
- Loadswitch
- Battery-driven devices
- Power management
- Charging circuits
- Power switches (e.g. motors, fans)
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