74CBTLV1G125提供单个高速线路开关。输出使能(OE)输入为高电平时，该开关处于禁用状态。

为确保上电或掉电期间的高阻抗关断状态，通过上拉电阻将OE连接到VCC。驱动器灌入电流的能力确定电阻的最小值。

控制输入处的施密特触发器动作使该电路能容许整个2.3 V至3.6 V的VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 2.3 V至3.6 V的电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 两个端口之间的5 Ω开关连接
• 数据I/O端口上的轨到轨切换
• CMOS低功耗
• 闭锁性能满足JESD78 I类要求
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BUK7515-100A - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• BZX84-C24 - 稳压器二极管
• 74AUP1G17GF - 低功耗施密特触发器
• NX7002AK - 60 V，单N沟道Trench MOSFET
• 74AUP3G34GF - 低功耗三路缓冲器
• SSL5235BTE - 紧凑型高功率因素可调光LED驱动器
• 74LVC3G04DC - 三路反相器
• BC54-16PAS - 45 V/60 V/80 V, 1 A NPN medium power transistors
• PHPT61002NYC - 100 V、2A NPN高功率双极性晶体管
• BUK9Y153-100E - N沟道100 V，153 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装