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PBSS4021PZ产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- BAP51-03,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 射频
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- SC28L202A1DGG,118 - 集成电路(IC) > 接口 > UART(通用异步接收器发送器)
- IP4035CX24/LF/P,13 - 滤波器 > EMI/RFI 滤波器(LC,RC 网络)
- MC9S08JS16CWJ - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- S9S12G48F0MLF - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- HTMS1001FTK/AF,115 - 射频和无线 > RFID 应答器、标签
- MRF9030GNR1 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
- P89LPC9351FDH,518 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器



PBSS4021PZ - 20 V,6.6 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
PBSS4021PZ是NXP恩智浦公司的一款低压低VCEsat (BISS)晶体管产品,PBSS4021PZ是20 V,6.6 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管,本站介绍了PBSS4021PZ的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PBSS4021PZ相关的NXP元器件型号供参考。
PBSS4021PZ - 20 V,6.6 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管 - 低压低VCEsat (BISS)晶体管 - 低VCEsat(BISS)晶体管 - 恩智浦
产品描述
PNP低VCEsat突破性小信号(BISS)晶体管,采用SOT223 (SC-73)中等功率表面贴装器件(SMD)塑料封装。
NPN补充产品:PBSS4021NZ。
产品特性和优势
- 极低集电极-发射极饱和电压VCEsat
- 高集电极电流能力IC和ICM
- 高集电极电流增益(hFE)(高IC时)
- 发热量更低、能效高
- 符合AEC-Q101标准
- 所需的印刷电路板(PCB)面积相比传统晶体管的更小
产品应用
- 负载开关
- 电池驱动设备
- 电源管理
- 充电电路
- 电源开关(例如:马达、风扇)
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