74AUP2G132提供双路2输入与非施密特触发器功能，其接受标准输入信号。该类器件能够将缓慢变化的输入信号转换成清晰无抖动的输出信号。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

输入针对正向和负向信号在不同点进行切换。正电压VT+和负电压VT-之差定义为输入迟滞电压VH.

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 波形和脉冲整形器
• 非稳态多谐振荡器
• 单稳态多谐振荡器

• 74AVCH20T245 - 20位双电源转换收发器，带可配置电压转换功能；3态
• PESD12VS2UQ - 采用SOT663封装的双ESD保护二极管
• BUK9637-100E - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• BUK9615-100A - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• PSMN017-30PL - N沟道30 V 17 m?逻辑电平MOSFET，采用TO220封装
• TFF11092HN - 适合VSAT应用的低相位噪声本振发生器
• 74HC(T)86 - 四路2输入异或门
• 74AUP2G34GX - 低功耗双路缓冲器
• PESD5V0S1BL - 低电容双向ESD保护二极管
• CLF1G0035S-100P - 宽带RF功率GaN HEMT