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- PMN38EN,135 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
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- SCIMX6X3EVK10ABR - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微处理器
- MC33887APVWR2 - 电源管理IC - 电机驱动器，控制器
- MKE06Z128VQH4 - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
- IP4305CX4/LF/P,315 - 电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
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- AFT31150NR5 - 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- MMBZ6V2AL,215 - 电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
- MCHC11F1VFNE4R - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
- MK10DX128VLH7R - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
- 74LVCH16373ADGG:11 - 集成电路（IC） > 逻辑 > 锁存器
- MC9S08QE4CTGR - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
- S9S12P32J0CFTR - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
BZX84J-B4V3 - 单倍齐纳二极管
BZX84J-B4V3是NXP恩智浦公司的一款齐纳二极管产品，BZX84J-B4V3是单倍齐纳二极管，本站介绍了BZX84J-B4V3的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与BZX84J-B4V3相关的NXP元器件型号供参考。
BZX84J-B4V3 - 单倍齐纳二极管 - 齐纳二极管 - 二极管 - 恩智浦
产品描述
通用齐纳二极管，采用SOD323F (SC-90)极小型扁平引脚表面贴装器件（SMD）塑料封装。
产品特性和优势
- 非重复性峰值逆向功率损耗：≤ 40 W
- 宽工作电压范围：标称值2.4 V至75 V（E24范围）
- 总功耗：≤ 550 mW
- 两个容差系列：±2 %和±5 %
- 符合AEC-Q101标准
- 低差分电阻
- 小型塑料封装，适合表面贴装设计
产品应用
- 一般稳压功能
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