PBRN113ET - NPN 800 mA，40 V BISS RETs；R1 = 1 kOhm，R2 = 1 kOhm

PBRN113ET是NXP恩智浦公司的一款RET 600mA/40V 低VCEsat产品，PBRN113ET是NPN 800 mA，40 V BISS RETs；R1 = 1 kOhm，R2 = 1 kOhm，本站介绍了PBRN113ET的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与PBRN113ET相关的NXP元器件型号供参考。

PBRN113ET - NPN 800 mA，40 V BISS RETs；R1 = 1 kOhm，R2 = 1 kOhm - RET 600mA/40V 低VCEsat - 配备电阻的晶体管(RET） - 恩智浦

产品描述

800 mA NPN低VCEsat突破性小信号(BISS)配电阻晶体管(RET)系列，采用小型塑料封装。

产品特性和优势

800 mA的输出电流能力
低集电极-发射极饱和电压VCEsat
高电流增益hFE
元器件数量更少
内置偏置电阻
贴片成本更低
电路设计更为简化
+-10%电阻比容差

产品应用

汽车电子和工业领域中的数字应用
开关负载
中等电流外设驱动器

下面可能是您感兴趣的恩智浦公司RET 600mA/40V 低VCEsat元器件

NXP公司产品现货专家，订购恩智浦公司产品不限最低起订量，NXP恩智浦产品大陆现货即时发货，香港库存3-5天发货，海外库存7-10天发货

寻找全球NXP代理商现货货源 - NXP公司（恩智浦）电子元件在线订购