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PBRN113ET - NPN 800 mA，40 V BISS RETs；R1 = 1 kOhm，R2 = 1 kOhm
PBRN113ET是NXP恩智浦公司的一款RET 600mA/40V 低VCEsat产品，PBRN113ET是NPN 800 mA，40 V BISS RETs；R1 = 1 kOhm，R2 = 1 kOhm，本站介绍了PBRN113ET的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与PBRN113ET相关的NXP元器件型号供参考。
PBRN113ET - NPN 800 mA，40 V BISS RETs；R1 = 1 kOhm，R2 = 1 kOhm - RET 600mA/40V 低VCEsat - 配备电阻的晶体管(RET） - 恩智浦
产品描述
800 mA NPN低VCEsat突破性小信号(BISS)配电阻晶体管(RET)系列，采用小型塑料封装。
产品特性和优势
- 800 mA的输出电流能力
- 低集电极-发射极饱和电压VCEsat
- 高电流增益hFE
- 元器件数量更少
- 内置偏置电阻
- 贴片成本更低
- 电路设计更为简化
- +-10%电阻比容差
产品应用
- 汽车电子和工业领域中的数字应用
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