NX3P190是高端负载开关，具有低导通电阻P沟道MOSFET，支持1.5 A以上的连续电流。专为1.1?V至?3.6 V工作范围而设计的该器件在电源域隔离应用得到使用以降低功耗并延长电池寿命。使能逻辑包括集成式逻辑电平转换，因此该器件与电压较低的处理器和控制器兼容。NX3P190因低接地电流和超低关断电流而非常适合便携式电池供电应用。

• 1.1 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 极低导通电阻：
  • 1.8 V电源电压时为95 mΩ（典型值）
• 高抗噪性
• EN为低电平时的低功耗模式
• 低接地电流（最大2 uA）
• 3.6 V电源电压时的1.2 V控制逻辑
• 高电流处理能力（500?mA连续电流）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过4000 V
  • CDM AEC-Q100-011 B版超过500 V
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C

• 手机
• 数码相机和音频设备
• 便携式和电池供电设备

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• 74LVCH8T245BQ - 8位双电源转换收发器；3态
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• 1PS76SB70 - 通用肖特基二极管
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• PHPT61003NY - 100 V、3A NPN高功率双极性晶体管