NX3P190是高端负载开关，具有低导通电阻P沟道MOSFET，支持1.5 A以上的连续电流。专为1.1?V至?3.6 V工作范围而设计的该器件在电源域隔离应用得到使用以降低功耗并延长电池寿命。使能逻辑包括集成式逻辑电平转换，因此该器件与电压较低的处理器和控制器兼容。NX3P190因低接地电流和超低关断电流而非常适合便携式电池供电应用。

• 1.1 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 极低导通电阻：
  • 1.8 V电源电压时为95 mΩ（典型值）
• 高抗噪性
• EN为低电平时的低功耗模式
• 低接地电流（最大2 uA）
• 3.6 V电源电压时的1.2 V控制逻辑
• 高电流处理能力（500?mA连续电流）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过4000 V
  • CDM AEC-Q100-011 B版超过500 V
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C

• 手机
• 数码相机和音频设备
• 便携式和电池供电设备

• NZX36B - 单倍齐纳二极管
• SCC2698BC1A84 - 增强型八通道通用异步接收器/发送器（八通道UART）
• BCX71K - PNP通用晶体管
• PSMN026-80YS - N沟道LFPAK 80 V 27.5 m?标准电平MOSFET
• BC847AMB - 45 V，100 mA NPN通用晶体管
• BUK9230-100B - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• 74LVC16241ADL - 16-bit buffer/line driver with 5 V tolerant inputs/outputs; 3-state
• PSMN4R1-30YLC - N沟道30 V 4.35m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术
• PESD12VS5UD - 五倍ESD保护二极管阵列
• SC16C550BIBS - 5 V、3.3 V和2.5 V的UART，带有16字节FIFO