
BLC8G27LS-100AV技术文档下载:
BLC8G27LS-100AV产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- MPC18730EPR2 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电源管理 - 专用
- DSP56303AG100B1 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > DSP(数字信号处理器)
- BLS3135-65,114 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极射频晶体管
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- S32K328NHT1VJBSR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MC32PF8121F1EP - 电源管理IC - 电源管理 - 专用型
- S912ZVC19F1WLFR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- 74LV74PW,112 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 触发器
- MK12DN512VLK5 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- ASC8849AETK - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 应用特定微控制器
- MKV10Z128VLF7 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器



BLC8G27LS-100AV - LDMOS功率晶体管
BLC8G27LS-100AV是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品,BLC8G27LS-100AV是LDMOS功率晶体管,本站介绍了BLC8G27LS-100AV的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BLC8G27LS-100AV相关的NXP元器件型号供参考。
BLC8G27LS-100AV - LDMOS功率晶体管 - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦
产品描述
100 W LDMOS封装非对称Doherty功率晶体管,适合于频率范围为2496 MHz至2690 MHz的基站应用。
产品特性和优势
- 出色的耐用性
- 高效
- 低热阻,提供极佳的热稳定性
- 采用去耦引脚,提高视频带宽性能
- 更低的输出电容提升了Doherty应用的性能
- 专为低内存占用量设计,提供极佳的预失真性能
- 内部匹配,便于使用
- 集成ESD保护
- 符合欧盟2002/95/EC危害性物质限制(RoHS)指令
产品应用
- RF功率放大器,适合于2496 MHz至2690 MHz频率范围内的LTE基站和多载波应用
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