NX3L2267S是双路低电阻单刀双掷模拟开关，适用于模拟或数字2 : 1多路复用器/解复用器。每个开关都具有一个数字选择输入(nS)、两个独立的输入/输出（nY0和nY1）和一个公共输入/输出(nZ)。

NX3L2267S包括可改善过冲偏移、断态隔离耦合或爆音最小化期间的抗噪性的端接电阻。

数字输入处的施密特触发器动作使电路容许较慢的输入上升和下降时间。低阈值数字输入使该器件能由3.3?V应用中的1.8?V逻辑电平驱动而不明显增大电源电流ICC。NX3L2267S因此能够使用1.8 V数字控制器切换4.3 V信号，无需逻辑电平转换。NX3L2267S允许振幅高达VCC的信号从nZ传输到nY0或nY1；或从nY0或nY1传输到nZ。其低导通电阻(0.5 Ω)和平坦度(0.13 Ω)确保最小衰减和传输信号失真。

• 1.4 V至4.3 V的宽电源电压范围
• 极低导通电阻（峰值）：
  • VCC = 1.4 V时，1.65?（典型值）
  • VCC = 1.65 V时，0.95?（典型值）
  • VCC = 2.3 V时，0.55 ?（典型值）
  • VCC = 2.7 V时，0.50 ?（典型值） VCC = 4.3 V时，0.50 ?（典型值）
• 先断后通式开关
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过7500 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM AEC-Q100-011修订版B超过1000 V
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD78B II类A级标准
• VCC = 3.6 V时的1.8 V控制逻辑
• 控制输入接受高于电源电压的电压
• 极低电源电流，即使输入低于VCC时
• 大电流处理能力（3.3 V电源下为350 mA连续电流）
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 手机
• PDA
• 便携式媒体播放器

• 74AHC1G07GW - 缓冲器，带开漏输出
• 74AHC1G08GV - 2输入与门
• BUK9K6R2-40E - 双N沟道40 V，6.2 m?逻辑电平MOSFET
• PSMN3R4-30BL - N沟道30 V 3.3 m?逻辑电平MOSFET，采用D2PAK封装
• 2PA1774M series - PNP通用晶体管
• BUK9214-30A - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• 74HC253D - 双路4输入多路复用器；3态
• PSMN059-150Y - N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET
• PESD5V0X1UB - 超低电容单向ESD保护二极管
• NZX5V1A - 单倍齐纳二极管