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BLF10M6200产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- S9S08DZ32F2CLF - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器



BLF10M6200 - 功率LDMOS晶体管
BLF10M6200是NXP恩智浦公司的一款RF Energy产品,BLF10M6200是功率LDMOS晶体管,本站介绍了BLF10M6200的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BLF10M6200相关的NXP元器件型号供参考。
BLF10M6200 - 功率LDMOS晶体管 - RF Energy - RF功率晶体管 - 恩智浦
产品描述
200 W LDMOS功率晶体管,适合700 MHz至1000 MHz频率范围的ISM应用。
产品特性和优势
- 方便的功率控制
- 集成ESD保护
- 极佳的强度
- 高效率
- 极佳的热稳定性
- 设计用于宽带操作(700 MHz至1000 MHz)
- 内部匹配,便于使用
- 符合欧盟2002/95/EC危害性物质限制(RoHS)指令
产品应用
- 适合700 MHz至1000 MHz频率范围内ISM应用的RF功率放大器
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