
BLF10M6200技术文档下载:
BLF10M6200产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
- PBSS4612PA,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
- MC68302RC16C - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- HEF40193BT,652 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 计数器,除法器
- MMC2114CFCVF33 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MCIMX6D5EYM10AER - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- BTA208S-800B,118 - 分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
- S912ZVC96F0MLF - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- 74HC93DB,112 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 计数器,除法器
- P89C51RD2BBD/01,55 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- PBSS5350X,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
- 74LVC543ABQ,118 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- MC9S08RE8CFJE - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- S9S08DZ32F2CLH - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MRF5S4140HR3 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
- MIMXRT106ADVL6B - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- LD6806TD/25P,125 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 稳压器 - 线性
- BGS8L5X - 射频和无线 > 射频放大器
- MC34674BEPR2 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电池充电器
- 74LVC1G19GW,125 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 信号开关,多路复用器,解码器
- BFU520R - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极射频晶体管



BLF10M6200 - 功率LDMOS晶体管
BLF10M6200是NXP恩智浦公司的一款RF Energy产品,BLF10M6200是功率LDMOS晶体管,本站介绍了BLF10M6200的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BLF10M6200相关的NXP元器件型号供参考。
BLF10M6200 - 功率LDMOS晶体管 - RF Energy - RF功率晶体管 - 恩智浦
产品描述
200 W LDMOS功率晶体管,适合700 MHz至1000 MHz频率范围的ISM应用。
产品特性和优势
- 方便的功率控制
- 集成ESD保护
- 极佳的强度
- 高效率
- 极佳的热稳定性
- 设计用于宽带操作(700 MHz至1000 MHz)
- 内部匹配,便于使用
- 符合欧盟2002/95/EC危害性物质限制(RoHS)指令
产品应用
- 适合700 MHz至1000 MHz频率范围内ISM应用的RF功率放大器
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