
BLF10M6200技术文档下载:
BLF10M6200产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- MC32PF3001A5EPR2 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电源管理 - 专用
- S912XET256W1MAAR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MC56F81666LVLF - 集成电路(IC) > 嵌入式 > DSP(数字信号处理器)
- S9S08DZ60F2VLC - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- TEF6730AHW/V1,557 - 射频和无线 > 射频接收器
- NCF2972XTT/TPE080J - 射频和无线 > RFID,射频接入,监控 IC
- NHS3100TEMOADKUL - 开发板,套件,编程器 > 评估板 > 射频评估和开发套件,板
- PCA9554PW/Q900,118 - 集成电路(IC) > 接口 > I/O 扩展器
- MFS2623HMDAEAD - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电源管理 - 专用
- PHU78NQ03LT,127 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- IP3348CX10,135 - 滤波器 > EMI/RFI 滤波器(LC,RC 网络)



BLF10M6200 - 功率LDMOS晶体管
BLF10M6200是NXP恩智浦公司的一款RF Energy产品,BLF10M6200是功率LDMOS晶体管,本站介绍了BLF10M6200的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BLF10M6200相关的NXP元器件型号供参考。
BLF10M6200 - 功率LDMOS晶体管 - RF Energy - RF功率晶体管 - 恩智浦
产品描述
200 W LDMOS功率晶体管,适合700 MHz至1000 MHz频率范围的ISM应用。
产品特性和优势
- 方便的功率控制
- 集成ESD保护
- 极佳的强度
- 高效率
- 极佳的热稳定性
- 设计用于宽带操作(700 MHz至1000 MHz)
- 内部匹配,便于使用
- 符合欧盟2002/95/EC危害性物质限制(RoHS)指令
产品应用
- 适合700 MHz至1000 MHz频率范围内ISM应用的RF功率放大器
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