NX3L1T5157是低电阻单刀双掷模拟开关，适用于模拟或数字2 : 1多路复用器/解复用器。其具有一个数字选择输入(S)、两个独立的输入/输出（Y0和Y1）和一个公共输入/输出(Z)。

数字输入处的施密特触发器动作使电路容许较慢的输入上升和下降时间。低阈值数字输入使该器件能由3.3?V应用中的1.8?V逻辑电平驱动而不明显增加电源电流ICC。NX3L1T5157允许振幅高达VCC的信号从Z传输到Y0或Y1；或从Y0或Y1传输到Z。其低导通电阻(0.5 Ω)和平坦度(0.13 Ω)确保最小衰减和传输信号失真。

• 1.4 V至4.3 V的宽电源电压范围
• 极低导通电阻（峰值）：
  • VCC = 1.4 V时，1.6?（典型值）
  • VCC = 1.65 V时，1.0?（典型值）
  • VCC = 2.3 V时，0.55 ?（典型值）
  • VCC = 2.7 V时，0.50 ?（典型值）
  • VCC = 4.3 V时，0.50 ?（典型值）
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22 A114F 3A类超过7500 V
  • MM JESD22 A115 A超过200 V
  • CDM AEC Q100 011修订版B超过1000 V
  • IEC61000 4 2接触放电超过8000 V（适合开关端口）
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类A级标准
• VCC = 3.6 V时的1.8 V控制逻辑
• 控制输入接受高于电源电压的电压
• 极低电源电流，即使输入低于VCC时
• 大电流处理能力（3.3 V电源下为350 mA连续电流）
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 手机
• PDA
• 便携式媒体播放器

• PDTC143ZT - NPN配电阻晶体管；R1 = 4.7 kΩ，R2 = 47 kΩ
• BLF7G21LS-160P - LDMOS功率晶体管
• 74LVC3G14GD - 三路反相施密特触发器，带5 V容压输入
• PMXB75UPE - 20 V，P沟道Trench MOSFET
• BUK662R5-30C - N沟道TrenchMOS中间电平FET
• PCA9501PW - 带有中断、2-kbit EEPROM和6个地址引脚的8位I2C总线和SMBus I/O端口
• BSS84AKMB - 50 V，单P沟道Trench MOSFET
• BZT52H-B36 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• BZT52H-B3V3 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• PDTC114YU - NPN配电阻晶体管；R1 = 10 kΩ，R2 = 47 kΩ