74LVT245B是高性能BiCMOS产品，设计用于3.3 V的VCC操作。

该器件是八位元收发器，在发送和接收方向上都具有非反相3态总线兼容输出。控制功能实施可最大限度减少外部定时要求。该器件具有一个可实现轻松级联的输出使能(OE)输入和一个可实现直接控制的直接(DIR)输入。

• 3态缓冲器
• 八位双向总线接口
• 5 V电源系统的输入和输出接口能力
• TTL输入和输出切换电平
• 输出能力：+64 mA/-32 mA
• 闭锁保护超过500 mA，符合JEDEC Std 17标准
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114E超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 总线保持数据输入无需使用外部上拉电阻来保持未使用的输入
• 允许带电插拔
• 上电3态
• 输出连接到5 V总线时无总线电流负载

• 74HC365PW - 六位元缓冲器/线路驱动器；3态
• BZX84J-C3V3 - 单倍齐纳二极管
• PSMN1R6-30PL - N沟道30 V 1.7 m?逻辑电平MOSFET
• PCA9673PW - 带有中断和复位的Fm+ I2C总线远程16位I/O扩展器
• 74LVC2G17GF - 双路非反相施密特触发器，带5 V容压输入
• PBSS4041SP - 60 V，5.9 A PNP/PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• PEMB17; PUMB17 - PNP/PNP配电阻晶体管；R1 = 47 kOhm，R2 = 22 kOhm
• BZB84-B5V6 - 双倍齐纳二极管
• 74AUP1G175GM - 带复位功能的低功耗D型触发器；正沿触发器
• BZT52H-B3V0 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管