74LVC3G17提供三个带施密特触发器输入的非反相缓冲器。该器件能够将缓慢变化的输入信号转换成清晰无抖动的输出信号。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中将74LVC3G17用作转换器。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入/输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 适用于高噪声环境的波形和脉冲整形器

• PMP5201V - PNP/PNP匹配双晶体管
• PSMN4R0-30YLD - N沟道30 V，4.0 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装，使用NextPowerS3技术
• 74HC73D - 带复位功能的双频JK触发器；负沿触发器
• 74LVC2G125DC - 双路总线缓冲器/线路驱动器；3态
• TDA8932BTW - D 类音频放大器
• 74CBTLV3125 - 4位总线开关
• BUK7E1R8-40E - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• 74HC4024 - 7级二进制纹波计数器
• BLF571 - HF/VHF功率LDMOS晶体管
• PSMN7R0-30YLC - N沟道30 V 7.1 m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术