NPIC6C595BQ - 功率逻辑8位移位寄存器；开漏输出

NPIC6C595BQ是NXP恩智浦公司的一款移位寄存器产品，NPIC6C595BQ是功率逻辑8位移位寄存器；开漏输出，本站介绍了NPIC6C595BQ的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与NPIC6C595BQ相关的NXP元器件型号供参考。

NPIC6C595BQ - 功率逻辑8位移位寄存器；开漏输出 - 移位寄存器 - 逻辑 - 恩智浦

产品描述

NPIC6C595是带存储寄存器和开漏输出的8位串行输入/串行或并行输出移位寄存器。移位寄存器和存储寄存器都具有单独的时钟。该器件具有串行输入（DS）和串行输出（Q7S）功能，可实现级联和异步复位输入（MR）。MR上的低电平可复位移位寄存器和存储寄存器。数据通过SHCP输入的从低到高转换实现移位。移位寄存器的数据通过STCP输入的从低到高转换转移到存储寄存器，并通过SHCP输入的从低到高转换转移到Q7S输出。如果将两种时钟连接在一起，则移位寄存器始终领先存储寄存器一个时钟脉冲。每当输出使能输入（OE）为低电平时，存储寄存器内的数据就可驱动输出延伸漏极NMOS晶体管。OE上的高电平会使输出进入高阻抗关断状态。OE输入的操作不会影响寄存器的状态。开漏输出为33 V/100 mA持续电流扩展漏极NMOS晶体管，后者设计用于LED等要求中等负载功率的系统。输出中的集成式电压箝位提供针对电感瞬变的保护。该特性使器件非常适合用于继电器、螺线管和其他低电流或中等电压负载等功率驱动器应用。

产品特性和优势

指定温度范围为-40 °C至+125 °C
低RDSon
八个功率EDNMOS晶体管输出100 mA连续电流
250 mA限流能力
输出箝位电压33 V
30 mJ雪崩能量能力
所有寄存器通过单个输入清零
低功耗
ESD保护：
- HBM JDS-001 2类超过2500 V
- CDM JESD22-C101E超过1000 V

产品应用

LED标志
图形状态面板
故障状态指示器

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