NPIC6C595是带存储寄存器和开漏输出的8位串行输入/串行或并行输出移位寄存器。移位寄存器和存储寄存器都具有单独的时钟。该器件具有串行输入（DS）和串行输出（Q7S）功能，可实现级联和异步复位输入（MR）。MR上的低电平可复位移位寄存器和存储寄存器。数据通过SHCP输入的从低到高转换实现移位。移位寄存器的数据通过STCP输入的从低到高转换转移到存储寄存器，并通过SHCP输入的从低到高转换转移到Q7S输出。如果将两种时钟连接在一起，则移位寄存器始终领先存储寄存器一个时钟脉冲。每当输出使能输入（OE）为低电平时，存储寄存器内的数据就可驱动输出延伸漏极NMOS晶体管。OE上的高电平会使输出进入高阻抗关断状态。OE输入的操作不会影响寄存器的状态。开漏输出为33 V/100 mA持续电流扩展漏极NMOS晶体管，后者设计用于LED等要求中等负载功率的系统。输出中的集成式电压箝位提供针对电感瞬变的保护。该特性使器件非常适合用于继电器、螺线管和其他低电流或中等电压负载等功率驱动器应用。

• 指定温度范围为-40 °C至+125 °C
• 低RDSon
• 八个功率EDNMOS晶体管输出100 mA连续电流
• 250 mA限流能力
• 输出箝位电压33 V
• 30 mJ雪崩能量能力
• 所有寄存器通过单个输入清零
• 低功耗
• ESD保护：
  • HBM JDS-001 2类超过2500 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V

• LED标志
• 图形状态面板
• 故障状态指示器

• PEMI4CSP-RW - 集成式4、6和8通道无源滤波器网络，带ESD保护
• PSMN2R9-30MLC - N沟道30 V 2.95 m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术
• BUK9Y21-40E - N沟道40 V，21 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装
• BC846B - 65 V，100 mA NPN通用晶体管
• BAT854AW - 双倍肖特基势垒二极管
• TJA1027TK - LIN 2.2/SAE J2602收发器
• PCA9673PW - 带有中断和复位的Fm+ I2C总线远程16位I/O扩展器
• PHN203 - 双N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
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• SAF3607EL - Digital radio and processing system-on-chip