74LVC1G14提供带施密特触发器输入的反相缓冲器功能。该类器件能够将缓慢变化的输入信号转换成清晰无抖动的输出信号。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用该器件。输入处的施密特触发器动作使电路容许较慢的输入上升和下降时间。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）。
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 无限上升和下降时间
• 输入可接受高达5 V的电压
• 多种封装选择
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V。
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C。

• 波形和脉冲整形器
• 非稳态多谐振荡器
• 单稳态多谐振荡器

• MF3ICDHQ101DUD - MIFARE DESFire EV1 256B contactless smartcard IC
• CBT3253A - 双路4选1 FET多路复用器/解复用器
• 74ALVCH16244DGG - 2.5 V / 3.3 V 16位缓冲器/线路驱动器（3态）
• 74AUP1G00GM - 低功耗2输入与非门
• 74LVC1GU04GV - 非缓冲反相器
• TDF8590TH - 2 X 80 W SE (4 Ω)或1 X 160 W BTL (8 Ω) D类放大器
• BC52PAS - 45 V/60 V/80 V, 1 A PNP medium power transistors
• PHP20N06T - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• PMDPB80XP - 20 V，双P沟道Trench MOSFET
• PMBFJ110 - N沟道FET