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MMBZ12VAL产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- 1PS70SB45,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
- MC9S08AW60CFDE - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
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- PCF2129AT/1,518 - 集成电路(IC) > 时钟/定时 > 实时时钟
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- SC16C650BIA44,529 - 集成电路(IC) > 接口 > UART(通用异步接收器发送器)
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- PZM2.4NBA,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
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- PCU9655PW1,518 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > LED 驱动器
- MC56F8246MLF - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器



MMBZ12VAL - 低电容单向双ESD保护二极管
MMBZ12VAL是NXP恩智浦公司的一款24W/40W TVS二极管产品,MMBZ12VAL是低电容单向双ESD保护二极管,本站介绍了MMBZ12VAL的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与MMBZ12VAL相关的NXP元器件型号供参考。
MMBZ12VAL - 低电容单向双ESD保护二极管 - 24W/40W TVS二极管 - 瞬变电压抑制器(TVS)二极管 - 恩智浦
产品描述
单向双静电放电(ESD)保护二极管采用共阳极配置,配以SOT23 (TO-236AB)小型表面贴装设备(SMD)塑料封装。该器件可为最多两条信号线提供ESD和瞬态过压保护。
产品特性和优势
- 两条线路的单向ESD保护
- 高达30 kV(接触放电)的ESD保护
- 单条线路的双向ESD保护
- IEC 61000-4-2四级(ESD)
- 低二极管电容:Cd ≤ 280 pF
- IEC 61643-321
- 额定峰值脉冲功率:PPPM = 40 W
- 符合AEC-Q101标准
- 超低漏电流:IRM = 5 nA
产品应用
- 计算机和外设
- 汽车电子控制单元
- 音频和视频设备
- 便携式电子设备
- 手机和附件
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